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中国移动物联网专用卡技术参数指标

作者: 蓉易创物联          阅读量: 4363

中国移动物联网专用卡技术指标分级

 

1.分级原则

由于各行业应用环境差异较大,对M2M专用卡各项指标要求也不尽相同,通过对各行业普

遍关注的技术指标进行分类汇总,并根据技术指标差异给出各级指标量化参数(如T1 –

T2 – H1 – C1 -„ - N1)。

注意:对于本标准未定义的指标要求,需根据具体行业需求另行规定。

           表1 技术指标定义列表

指标代码

指标项

阐述要点

T

操作和存储温度

2

H

湿度

3

C

腐蚀

4

V

震动

5

A

模块附着力

6

R

数据保存时间

7

E

擦写次数

8

M

抗电磁干扰

9

X

抗X光

10

S

抗静电

11

 

2. 操作和存储温度

普通SIM卡的操作及存储温度标准范围是:-25°C~85°C。

M2M专用卡温度分为七个等级,分别是T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7各等级的温度范围

如下表所示:

      表2 温度指标列表

温度级别

指标要求

T1

-25 to +85°C

T2

-40 to +85°C

T3

-40 to +105°C

T4

-40 to +125°C

T5

-65 to +125°C

T6

-65 to +150°C

T7(存储温度)

-65 to +300°C

 

满足以上级别要求的M2M专用卡应保证:卡片暴露在温度范围规定的温度或者最低

温度下1000小时,卡的操作正常且存储正常(T7只要求存储温度)。

 

3. 湿度

湿度目前分为两个等级,指标要求如下表所示:

        表3 湿度指标列表

湿度级别

指标要求

H1

在 50 度 温 度 , 相 对 湿 度 范 围

90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。

H2

在 85 度 温 度 , 相 对 湿 度 范 围

90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。

 

 

4. 腐蚀

腐蚀目前只有一个等级为C1,指标要求如下表所示:

        表4 腐蚀指标列表

湿度级别

指标要求

C1

在5%盐度(NaCl)的环境下存储至

少24小时,卡的操作和存储正常。

 

 

5. 震动 

震动分为三个等级,分别是V1,V2,V3,各等级的震动范围如下表所示:

      表5 震动指标列表

震动级别

指标要求

V1

5Hz to 500Hz

V2

10Hz to 1000Hz

V3

20Hz to 2000Hz

 

满足以上级别要求的M2M专用卡应保证:在以上等级的震动环境下至少2小时,卡的操作

和存储正常。

对于加速度、振幅等的详细要求参见附录B。

针对V1的指标等级范围是附录B中的等级3~8;针对V2的指标等级范围是附录B中等级2;

针对V3的指标等级范围是附录B中的等级1。

 

6. 附着力 

附着力目前只有一个等级为A1,指标要求如下表所示:

       表6 附着力指标列表

附着力级别

指标要求

A1

对卡施加60N的拉力并持续1分钟,

模块不应从卡上分离,卡的操作和

存储正常。

 

 

7. 数据保存时间 

数据保存时间是指在无源储存情况下的数据保存时间,不包括由于对M2M专用卡的擦写6

操作导致卡片数据损坏的情况。

数据保存时间分为四个等级,分别是R1,R2,R3,R4,各等级的指标要求如下表所示:

     表7 数据保存时间指标列表

数据保存时间级别

指标要求

R1

10年

R2

15年

R3

20年

R4

25年

 

在每个时间指标下,根据存储温度范围,可分为85°C、105°C、125°C三个等级。

 

8. 擦写次数 

擦写次数是指通过UPDATE指令(参见TS102.221)更新M2M专用卡内数据,保证M2M专用卡

可以正常擦写和读取的最小次数。在对M2M专用卡进行重复擦写数据存储区的情况下,保证

某些常用文件(例如SMS)和数据不会因频繁操作而导致损坏。

卡片擦写次数分为四个等级,分别是E1,E2,E3,E4,各等级的指标要求如下表所示:

      表8 擦写次数指标列表

擦写次数级别

指标要求

E1

10万次

E2

50万次

E3

100万次

E4

500万次

 

 

9. 抗电磁干扰 

抗电磁干扰分为两个等级,指标要求如下表所示:

       表9 抗电磁干扰指标列表

电磁级别

指标要求

M1

在卡暴露在稳定的79500A/m (1000Qe)磁场下,不应降低卡片功能。

M2

在 卡 暴 露 在 稳 定 的640000A/m(1000Qe)磁场下, 不应降低卡片功能。

 

 

10. 抗 X 光(紫外线)

X光(紫外线)分为1个等级,指标要求如下表所示:

        表10 抗X光指标列表

电磁级别

指标要求

X1

在卡的任何一面每边在受到0.1Gy 剂 量 , 相 当 于 70 ~ 140KeV中等能量X射线照射时(一年的累计剂量),不应降低卡片功能。

 

 

11. 抗静电 

抗静电分为三个等级,指标要求如下表所示:

         表11 抗静电指标列表

静电级别

指标要求

S1

在卡暴露在2000V的静电环境中,不应降低卡片功能。

S2

在卡暴露在4000V的静电环境中,不应降低卡片功能。

S3

在卡暴露在8000V的静电环境中,不应降低卡片功能。